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AE503D局部放电检测声发射传感器

产品/服务:
有效期至: 长期有效
最后更新: 2017-12-01 17:40
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“AE503D局部放电检测声发射传感器”参数说明

输出信号: 数字型 材料: 陶瓷
材料晶体结构: 单晶 型号: AE503D
规格: φ20*28(H) 商标: 日本
产量: 1000

“AE503D局部放电检测声发射传感器”详细介绍

富士的声发射传感器生产开始于1975年,由于传感器所需的压电陶瓷材料是富士自己研发生产的,而且富士只专注于生产声发射传感器而不生产声发射仪器,因此其声发射传感器性能非常优异,除了向客户直接销售声发射传感器之外,富士还给譬如德国华伦Vallen等声发射仪厂家提供OEM贴牌生产。
富士有系列化的谐振式声发射传感器,除了常规体积的传感器外,富士还有超小型的声发射传感器,最小的传感器外径仅有3毫米。声发射传感器能探测到人不能感知到的危险信号,从产品质量的安全检查到大型建造物的安全监测,声发射传感器都有很广的应用范围。
AE503D局部放电检测声发射传感器参数:
共振频率:50±20%kHz
灵敏度:78±3  0dB=1V/m/s at.fo绝对灵敏度简易标定法    电缆0.5m (45)pF 标准时
使用温度范围:-20~+80℃
外形尺寸:φ20*28(H)(详见以下外形图)
重量:约45g
输出形式:压电型、差分输出
构造:侧面接口,安装面绝缘(氧化铝)
外壳材质:SUS303
AE503D式样书
项目
单位
规格
备注
1
灵敏度       So
dB
78±3
0dB=1V/m/s at.fo绝对灵敏度简易标定法              电缆0.5m (45)pF 标准时
2
共振频率     fo
kHz
50±20%
 
3
静态电容     C
pF
180±20%
at.1kHz 电缆0.5m (45)pF 标准时(但一端短路)
4
绝缘电阻     IR

100以上
at.DC100V (+)(-)GND之间
5
使用温度范围 Tb

-20~+80
 
6
本机质量     Wt
gr.
约45
 
7
输出形式
-
压电型、差分输出
 
8
本机构造
-
侧面接口,安装面绝缘(氧化铝)
9
接口
-
2芯BNC
10
外形尺寸
mm
φ20*28(H)
11
外壳材质
-
不锈钢(SUS-303)
12
印刻内容
-
印有公司名称“FC”、产品型号“AE503D”、生产编号:4位连号 墨色
13
出厂检验项目
-
1、2、4、5项目

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